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核心技术
core technology
产品介绍

随着半导体技术和产业的发展,以 NAND 闪存为代表的非易失性存储(NVM)介质在容量密度方面不断提高,容量成本不断下降,同时还具备随机存取快速响应、聚合吞吐量高等性能优势,基于 NAND 闪存的 SSD 已经成为代替机械磁盘、存储系统活跃数据的理想选项。


TAI 是 DERA 面向企业及数据中心应用领域,立足于数据可靠性保障和闪存性能聚合核心技术设计制造的 NVMe SSD 控制器。TAI 控制器支持多达16个 NAND 通道,支持多个 NAND 厂商的主流器件型号,并提供灵活的配置选择。基于 TAl 控制器,开发者可以构建可靠性和性能均领先业界的企业级 NVMe SSD。

PCIe Gen3x4
16个 NAND 通道
最大 16T 容量
支持多个 NAND 厂商主流器件型号
功能特性
功能框图.jpg
  • 遵循 NVMe 1.3 标准,支持 PCle Gen 3x8/×4 8 GT/s

  • 支持 NVMe 可选命令及厂商定制命令,开发者可通过固件定制实现产品差异化

  • 支持一线厂商主流 NAND 型号,支持 ONFI 和 TOGGLE 接口

  • 支持 512GB-16TB 总原始容量

  • 16个 NAND 通道,支持 1.8V/1.2V,533 MT/s;每通道最多16个 NAND Die

  • 最高性能可实现顺序读 5GB/s、顺序写 4GB/s,4KB 随机读 1M IOPS

  • 双通道 40bit DDR 控制器,带 ECC 保护,支持 DDR3L 1333 MT/s;最大 DRAM 容量16GB

  • 支持 AES256 硬件加密

  • SPI NOR (带 ECC),及多种通用接口:5路 UART、2路12C、16 GPIO、2路 SPI

  • 内部所有 RAM 均有 ECC 保护,内部数据通道有完整端到端 CRC 保护

ECC和数据完整性保护
设计灵活度
TAI 控制器提供了灵活的设计选项。 基于 TAI 控制器,开发者可以在成本、功耗、性能等几个维度上实现均衡设计,实现产品差异化。
根据实际的目标需求和产品定义,开发者可以在 ECC 强度、NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择,实现优化组合。